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ANL345高精度液位温度双参量投入式变送器

ANL345高精度液位温度双参量投入式变送器

ANL345温度液位双输出变送器是秉承艾恩森公司优良品质的全密封、潜入式的扩散硅液位、温度测量仪器。该型变送器由经过长期稳定性和可靠性验证的压阻式OEM压力传感器和PT1000温度传感器及高精度的变送器专用电路装入不锈钢壳体组成。先进的生产工艺和自动化产线保证了产品品质稳定，产品良好的适应性保证您的设备能够应对各种复杂环境。性能指标量程（FS）：液位：0mH2O～1mH2O…200mH2O温度：-

多介质液位分界面精确测量之ANL561磁致伸缩液位变送控制器

多介质液位分界面精确测量之ANL561磁致伸缩液位变送控制器

01—产品概述ANL561液位变送控制器是集液位测量、显示、输出、控制于一体的智能数显液位测控产品。该产品为全电子结构，前端采用磁滞伸缩传感器。电子仓发出一个脉冲波沿测杆方向传播，遇到磁致伸缩的磁性材料脉冲波返回，电子仓通过计算发送和接收时间来计算位移值，经微处理器计算处理，能够现场显示，并输出模拟量和四路开关量，可RS485通讯。该液位变送控制器使用灵活，操作简单，调试容易，安全可靠。广泛应用于

艾恩森传感受邀组队参加第二届“华山论剑西凤酒杯”乒乓球邀请赛

艾恩森传感受邀组队参加第二届“华山论剑西凤酒杯”乒乓球邀请赛

夏日炎炎，挡不住乒乓球运动员的热情！2022年7月2日，艾恩森传感受邀组队参加了第二届“华山论剑西凤酒杯”乒乓球邀请赛，参赛队员在赛场上挥洒拼搏的汗水，为传承乒乓文化、发扬国球精神，强身健体、积极推进健康的运动理念而奋战，打出了精彩，打出了实力，打出了友谊。

智能压力变送器产品特点和用途

智能压力变送器产品特点和用途

智能压力变送器产品特点和用途：智能压力变送器具有反向极性和限流保护；激光调阻温度补偿，范围宽，抗腐蚀，适于多种介质；过载及抗干扰能力强，性能稳定；独特显示表头设计，可以选配模拟、数字显示表头；零点和满量程可通过手操器调节，量程迁移范围宽。　　智能压力变送器特点　　1、智能一体化设计：集压力信号采集、处理、显示和输出于一体。　　2、微功耗双电源设计，可靠性高。　　3、具有独特的动态自动跟踪温度补偿功

单晶硅压力变送器的维护给与现状

单晶硅压力变送器的维护给与现状

维护人员根据现场工作条件，参照上-节定期检查仪表输出信号。在正常情况下仪表也可能会有残留沉积物，故应根据现场应用条件定期对单晶硅变送器进行清洗，清洗工作最好在室内进行：操作如下:1、将法兰的螺钉按对角的方向松开:2、小心取下法兰，注意不要伤到单晶硅传感器隔离膜片:3、用软毛刷和合适的溶剂清洗传感器膜片，可以连同法兰--一起清洗:4、更换过程法兰的0型圈:5、将过程法兰装到测量部件上，应小心不要碰到

浅述-压力变送器的选择与应用优势

浅述-压力变送器的选择与应用优势

 随着社会逐渐发展，从产品安全考虑，一般选择使工作压力值在标准量程值的60%-80%为宜，整个测量系统中可能出现的异常情况所导致的过载压力不得超过产品允许的大过载。下面为大家介绍一下。                            

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上海艾恩森传感产品视频

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上海艾恩森传感技术有限公司：具备规模传感元件生产能力；提供复杂工况传感解决方案；承诺快速响应现场技术服务。现公司将部分产品以视频方式展示给大家，方便客户对公司产品有更直观的认识，如需了解更多产品，请联系我们，感谢浏览！

深度观察 | 全球半导体王者，引发传感行业巨大变革？

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英飞凌前身是西门子集团旗下子公司西门子半导体（Siemens Semiconductor），于1999年独立，目前是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，拥有感知、连接、安全、计算和执行五大硬件能力，也是全球第一大功率分立器件和车用半导体厂商。而在传感器领域，英飞凌更是许多传感器芯片的重要供应商，譬如MEMS麦克风芯片市场，英飞凌的市占率全球第一。此外，英飞凌的许多传感解决方案也被应用于众多下游

36.6亿！德州仪器最新业绩：客户库存修正近尾声、需求复苏

36.6亿！德州仪器最新业绩：客户库存修正近尾声、需求复苏

德州仪器最新财报已经出炉！虽然营收同比下滑，但优于市场预期，同时给出了乐观的下季财测，市场认为模拟芯片需求在逐渐改善，工业和汽车芯片需求下滑的情况可能在缓解，客户库存修正也接近尾声。据德州仪器财报显示，Q1营收为36.6亿美元，同比下降16.4%，为2020年以来的最低水平，市场预期为36.1亿美元。非GAAP每股收益为1.1美元，预期为1.08美元。净利润为11.1亿美元，同比下降35%，预期为

美光获得巨额补贴！

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4月25日消息，美国政府近日宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据《芯片与科学法案》向美光提供至多 61.4 亿美元直接补贴。这笔补贴将支持美光到 2030 年在美国投资 500 亿美元（当前约 3630 亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂，并在总部所在地爱达荷州博伊西建设一座先进 DRAM 内存大规模量产工厂。美光博伊西晶圆厂将于 2025 年